Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.87€ | 3.44€ |
5 - 9 | 2.73€ | 3.28€ |
10 - 24 | 2.58€ | 3.10€ |
25 - 49 | 2.44€ | 2.93€ |
50 - 59 | 2.38€ | 2.86€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 2.87€ | 3.44€ |
5 - 9 | 2.73€ | 3.28€ |
10 - 24 | 2.58€ | 3.10€ |
25 - 49 | 2.44€ | 2.93€ |
50 - 59 | 2.38€ | 2.86€ |
N-Kanal-Transistor, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF2805. N-Kanal-Transistor, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.9M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 5110pF. Kosten): 1190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Automobilanwendungen. Id(imp): 700A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 19:25.
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