N-Kanal-Transistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510

N-Kanal-Transistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510. N-Kanal-Transistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 180pF. Kosten): 81pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 19:25.