Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540

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N-Kanal-Transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540. N-Kanal-Transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.077 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1700pF. Kosten): 560pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: 1.3k Ohms. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 22:25.

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