N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 3.3A, 36W - IRF610PBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 3.3A, 36W - IRF610PBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 3.3A, 36W. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 36W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF610PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 11 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 140pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 22:25.