N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 18A - IRF640NPBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 18A - IRF640NPBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 18A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF640NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 03:25.