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N-Kanal-Transistor, 200V, TO220 - IRF640PBF

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N-Kanal-Transistor, 200V, TO220 - IRF640PBF. N-Kanal-Transistor, 200V, TO220. Vdss (Drain-Source-Spannung): 200V. Gehäuse: TO220. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 18A. Antriebsspannung: 10V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montageart: THT. Originalprodukt vom Hersteller Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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