N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A - IRF7309TRPBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A - IRF7309TRPBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7309. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22/25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 520/440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 05:25.