N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A - IRF7343PBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A - IRF7343PBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7343. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12/22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 48/64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 740/690pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 04:25.