N-Kanal-Transistor, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807V

N-Kanal-Transistor, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807V. N-Kanal-Transistor, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Integrierter Schaltkreis für DC-DC-Wandler. Id(imp): 66A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11 ns. Td(on): 6.3 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 03:25.