N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 21A - IRF7831TRPBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 21A - IRF7831TRPBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 21A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7831. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.35V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 17 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6240pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 08:25.