N-Kanal-Transistor, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3006

N-Kanal-Transistor, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3006. N-Kanal-Transistor, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0021 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 8970pF. Kosten): 1020pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 44 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1080A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 375W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.