N-Kanal-Transistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3206

N-Kanal-Transistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3206. N-Kanal-Transistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 6540pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 840A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 03:25.