N-Kanal-Transistor, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA - IRFB4110PBF

N-Kanal-Transistor, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA - IRFB4110PBF. N-Kanal-Transistor, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 250uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 370W. RoHS: ja. Gewicht: 1.99g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 9620pF. Kosten): 670pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP-Switch. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.