Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 6.68€ | 8.02€ |
2 - 2 | 6.34€ | 7.61€ |
3 - 4 | 6.14€ | 7.37€ |
5 - 9 | 6.01€ | 7.21€ |
10 - 19 | 5.88€ | 7.06€ |
20 - 29 | 5.68€ | 6.82€ |
30 - 78 | 5.48€ | 6.58€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 6.68€ | 8.02€ |
2 - 2 | 6.34€ | 7.61€ |
3 - 4 | 6.14€ | 7.37€ |
5 - 9 | 6.01€ | 7.21€ |
10 - 19 | 5.88€ | 7.06€ |
20 - 29 | 5.68€ | 6.82€ |
30 - 78 | 5.48€ | 6.58€ |
N-Kanal-Transistor, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB4115. N-Kanal-Transistor, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0093 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 5270pF. Kosten): 490pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 86 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 420A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 380W. RoHS: ja. Gewicht: 1.99g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 09:25.
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