N-Kanal-Transistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4310PBF

N-Kanal-Transistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4310PBF. N-Kanal-Transistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 7670pF. Kosten): 540pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 550A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB4310. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 68 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 12:25.