Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4710

N-Kanal-Transistor, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4710
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N-Kanal-Transistor, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4710. N-Kanal-Transistor, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 53A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6160pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 300A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB4710. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 12:25.

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N-Kanal-Transistor, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°...
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N-Kanal-Transistor, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 120V. C(in): 4300pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 155 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P80NF12. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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N-Kanal-Transistor, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 120V. C(in): 4300pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 155 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P80NF12. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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