N-Kanal-Transistor, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V - IRFBE30

N-Kanal-Transistor, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V - IRFBE30. N-Kanal-Transistor, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1300pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 16A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 82 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 09:25.