N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, HD-1, 200V, 0.8A - IRFD220PBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, HD-1, 200V, 0.8A - IRFD220PBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, HD-1, 200V, 0.8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: HD-1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD220PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 0.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 260pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.