N-Kanal-Transistor, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V - IRFL210

N-Kanal-Transistor, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V - IRFL210. N-Kanal-Transistor, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 7.7A. IDss (min): 25uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code FC. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FC. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 16:25.