Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V - IRFP3710

N-Kanal-Transistor, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V - IRFP3710
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N-Kanal-Transistor, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V - IRFP3710. N-Kanal-Transistor, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 17:25.

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N-Kanal-Transistor, 40A, 51A, 51A, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. IDSS (max): 51A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: FastSwitch. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET
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