N-Kanal-Transistor, 14A, TO-263, 400V - IRGS14C40LPBF

N-Kanal-Transistor, 14A, TO-263, 400V - IRGS14C40LPBF. N-Kanal-Transistor, 14A, TO-263, 400V. Ic(T=100°C): 14A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. C(in): 825pF. Kosten): 150pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 20A. Hinweis: > 6KV ESD Gate Protection. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GS14C40L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 1.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2.2V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/06/2025, 04:25.