N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-264AA, 600V, 48A, 25, 0.135 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 600V - IXFK48N60P

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-264AA, 600V, 48A, 25, 0.135 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 600V - IXFK48N60P. N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-264AA, 600V, 48A, 25, 0.135 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 600V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 25. Einschaltwiderstand Rds On: 0.135 Ohms. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Spannung Vds(max): 600V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK48N60P. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 85 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 8860pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 830W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: dv/dt 20V/ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/06/2025, 10:25.