N-Kanal-Transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V - MDF11N65B

N-Kanal-Transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V - MDF11N65B. N-Kanal-Transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1650pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Trr-Diode (Min.): 355 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49.6W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Magnachip Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 14/06/2025, 04:25.