N-Kanal-Transistor, 1.1A, 1.8A, 50uA, 2.7M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 650V - Q67040-S4420

N-Kanal-Transistor, 1.1A, 1.8A, 50uA, 2.7M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 650V - Q67040-S4420. N-Kanal-Transistor, 1.1A, 1.8A, 50uA, 2.7M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 650V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.7M Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 650V. C(in): 200pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 5.4A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 02N60C3. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 45 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 14/06/2025, 18:25.