N-Kanal-Transistor, 90A, Andere, Andere, 600V - SKM100GAL123D

N-Kanal-Transistor, 90A, Andere, Andere, 600V - SKM100GAL123D. N-Kanal-Transistor, 90A, Andere, Andere, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 5000pF. Kosten): 720pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungs-IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 150A. Hinweis: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Anzahl der Terminals: 7. RoHS: ja. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Originalprodukt vom Hersteller Semikron. Bestandsmenge aktualisiert am 14/06/2025, 18:25.