N-Kanal-Transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 650V - SPI07N60C3

N-Kanal-Transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 650V - SPI07N60C3. N-Kanal-Transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-262 ( I2-PAK ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-262. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 16pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 21.9A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N60C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 15/06/2025, 07:25.