N-Kanal-Transistor SPP04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 85m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 490pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 13.5A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Kosten): 160pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54