N-Kanal-Transistor SPU04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V

N-Kanal-Transistor SPU04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V

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1-4
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5-49
3.89€
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N-Kanal-Transistor SPU04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 490pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 13.5A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Kosten): 160pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54

Technische Dokumentation (PDF)
SPU04N60C3
29 Parameter
ID (T=100°C)
2.8A
ID (T=25°C)
4.5A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.85 Ohms
Gehäuse
TO-251 ( I-Pak )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-251 ( I-Pak )
Spannung Vds(max)
650V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
490pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
0.5uA
Id(imp)
13.5A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
04N60C3
Kosten)
160pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
Td(off)
58.5 ns
Td(on)
6 ns
Technologie
Cool Mos
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
300 ns
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies

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