N-Kanal-Transistor SPP11N80C3, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 11A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Funktion: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Technologie: Cool Mos. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54