N-Kanal-Transistor SPW11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1600pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N80C3. Kosten): 800pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 156W. RoHS: ja. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54