N-Kanal-Transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - STP6NK90Z

N-Kanal-Transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - STP6NK90Z. N-Kanal-Transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 18:25.