Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP9NB60

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N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP9NB60. N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PowerMesh. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 18:25.

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N-Kanal-Transistor, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 530 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS
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