NPN-Transistor 2N5109, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Kollektorstrom: 0.4A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+200°C. CE-Diode: nein. FT: 1.2GHz. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 210. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Vebo: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Sgs. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37