NPN-Transistor 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: Rauscharmer HI-FI-Vorverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: -. Konditionierungseinheit: 2000. Kosten): 4pF. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 4.5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37