NPN-Transistor 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 2. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+200°C. CE-Diode: nein. FT: 4 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 50A. Kosten): 500pF. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N5884. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Temperatur: +200°C. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37