NPN-Transistor 2N6468, 4A, TO-66, TO-66, 120V
Menge
Stückpreis
1-9
20.04€
10-24
19.38€
25-99
18.14€
100+
17.16€
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NPN-Transistor 2N6468, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-66. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-66. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Betriebstemperatur: -65...+200°C. FT: 5 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Transistortyp: PNP. VCBO: 130V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37
2N6468
16 Parameter
Kollektorstrom
4A
Gehäuse
TO-66
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-66
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
120V
Betriebstemperatur
-65...+200°C
FT
5 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Maximaler hFE-Gewinn
150
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
15
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.2V
Transistortyp
PNP
VCBO
130V
Vebo
5V