NPN-Transistor 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-8H1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 2.5pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3423. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37