NPN-Transistor 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V
Menge
Stückpreis
1-4
2.16€
5-24
1.92€
25-49
1.78€
50-99
1.63€
100+
1.37€
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NPN-Transistor 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. C(in): 1.7pF. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Funktion: Video. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 200mA. Kosten): 2.6pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37
2SA1370
25 Parameter
Kollektorstrom
100mA
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92M ( 9mm )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
200V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
C(in)
1.7pF
CE-Diode
nein
FT
150 MHz
Funktion
Video
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
200mA
Kosten)
2.6pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.6V
Maximaler hFE-Gewinn
320
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
40
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
1W
Technologie
Epitaxialer Planartransistor
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
VCBO
200V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo