NPN-Transistor 2SB1185, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-67. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 70 MHz. Funktion: NF-E-L. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 50pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:35