NPN-Transistor 2SB1470, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal für 120 W Hi-Fi-Ausgang. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 15A. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 3500. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Technologie: „Triple Diffusion Planar Type Darlington“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Panasonic. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:51