NPN-Transistor 2SB1560-SKN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V

NPN-Transistor 2SB1560-SKN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V

Menge
Stückpreis
1-4
6.13€
5-9
5.42€
10-24
4.88€
25-49
4.52€
50+
4.03€
Menge auf Lager: 60

NPN-Transistor 2SB1560-SKN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN ( MT-100 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: 1. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): A. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanken. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:51

Technische Dokumentation (PDF)
2SB1560-SKN
22 Parameter
Kollektorstrom
10A
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PN ( MT-100 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
150V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-...+150°C
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
1
FT
55 MHz
Funktion
hFE 5000
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
A
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
100W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.5V
Transistortyp
PNP
VCBO
160V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanken