NPN-Transistor 2SB526, M17/J, 90V/80V, 800mA. Gehäuse: M17/J. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V/80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W. RoHS: nein. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:40