NPN-Transistor 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 140 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 27pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD669A. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Unisonic Technologies Co. Ltd. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:51