NPN-Transistor 2SC2240BL, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

NPN-Transistor 2SC2240BL, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Menge
Stückpreis
1-4
2.02€
5-24
1.87€
25-49
1.77€
50-99
1.67€
100+
1.48€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: -10

NPN-Transistor 2SC2240BL, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+125°C. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Funktion: Geräuscharmer Audioverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2240BL. Kosten): 3pF. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 350. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA970BL. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Temperatur: +125°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13

Technische Dokumentation (PDF)
2SC2240BL
27 Parameter
Kollektorstrom
0.1A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
120V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+125°C
CE-Diode
nein
FT
100 MHz
Funktion
Geräuscharmer Audioverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C2240BL
Kosten)
3pF
Maximaler hFE-Gewinn
700
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
350
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.3W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA970BL
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Technologie
„Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“
Temperatur
+125°C
Transistortyp
NPN
VCBO
120V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

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