NPN-Transistor 2SC2412, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-Transistor 2SC2412, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Menge
Stückpreis
1-4
0.37€
5-49
0.31€
50-99
0.27€
100-199
0.24€
200+
0.20€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 129

NPN-Transistor 2SC2412, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 180 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BQ. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BQ. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1037. Sättigungsspannung VCE(sat): 400mV. Temperatur: +155°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13

Technische Dokumentation (PDF)
2SC2412
22 Parameter
Kollektorstrom
0.15A
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
180 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Siebdruck/SMD-Code BQ
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
BQ
Maximaler hFE-Gewinn
390
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
180
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
200mW
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA1037
Sättigungsspannung VCE(sat)
400mV
Temperatur
+155°C
Transistortyp
NPN
VCBO
60V
Originalprodukt vom Hersteller
ROHM

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