NPN-Transistor 2SC2690A, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorstrom: 1.2A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 155 MHz. Funktion: HF. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2690A Y. Kosten): 19pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1220A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13