NPN-Transistor 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

NPN-Transistor 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Menge
Stückpreis
1-4
1.88€
5-24
1.55€
25-49
1.40€
50+
1.26€
Menge auf Lager: 22

NPN-Transistor 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 2. FT: 120 MHz. Funktion: Hochstromschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1244. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3074. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13

Technische Dokumentation (PDF)
2SC3074-Y
24 Parameter
Kollektorstrom
5A
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
2
FT
120 MHz
Funktion
Hochstromschaltung
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Komplementärtransistor (Paar) 2SA1244
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C3074
Maximaler hFE-Gewinn
240
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
70
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
20W
RoHS
ja
Spec info
Lo-sat--Vce(sat)--0.2V
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.2V
Technologie
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
NPN
VCBO
60V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba