NPN-Transistor 2SC3150, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 15 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13