NPN-Transistor 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 2. FT: 120 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3303. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13