NPN-Transistor 2SC5149, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Darlington-Transistor?: nein. FT: 2 MHz. Funktion: schnelle Bedienung, für horizontale Ablenkung (TV). Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5149. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: „Triple Diffused MESA Type“. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12